未來數據中心網絡的創新光互連解決方案
隨着應用場景的發展,企業對數據中心網絡及光模組的需求也在不斷變化。對於長距離波分復用應用,企業優先考慮性能,追求更長的傳輸距離和更高的光譜效率。相比之下,對於數據中心內部的短距離應用,企業更注重成本,關注距離、體積和功耗等因素。
英特爾聯合創始人戈登·摩爾提出了摩爾定律,該定律預測集成電路上的晶體管數量每18個月將實現翻倍,這一原則指導了半導體行業超過五十年。類似地,在光電子領域,“光學摩爾定律”指出,短距離光模組大約每4年會經歷顯著的技術進步,從而使每比特的成本和功耗減少一半。
為了實現更高的數據傳輸速率,光模組通常採用三種策略:提升光模組速率(更高的波特率)、增加通道數量(多通道)以及採用先進的調製技術。這些方法有助於降低每比特的傳輸成本,從而滿足“光學摩爾定律”的要求。
採用PAM4高級調製技術
PAM4(4階脈衝振幅調製)技術是一種高效的調製方法,顯著提高了光模組的帶寬利用率。PAM4信號在傳輸領域正逐漸取代NRZ(不歸零)編碼方法,應用廣泛。 NRZ信號使用兩個信號電平,高電平和低電平,分別表示數字邏輯信號1和0,每個時鐘周期傳輸1比特的信息。相比之下,PAM4信號使用4個不同的信號電平,可以在每個時鐘周期傳輸2比特的信息,表示為00、01、10和11。因此,在相同的波特率下,PAM4信號的比特率是NRZ信號的2倍,顯著提高了傳輸效率並降低了成本。 在400G光模組中採用PAM4調製技術將提升傳輸效率,並有助於降低光模組的成本。
增加通道數量(多通道)
歷史數據表明,超過8個通道的解決方案(如10/16個通道)可能面臨通道產量和可靠性方面的挑戰,難以成為主流解決方案。經濟高效的多通道架構通常依賴於x4或x8配置。 例如,基於4x25G架構的100G CWDM4和100G SR4光模組已成為上一代數據中心光互連的主流解決方案。
更高波特率的光電芯片
數據中心的100G光模組基於25Gbaud光電芯片產業鏈(DML、VCSEL),採用NRZ信號,在4通道架構下實現了廣泛的市場應用。目前,25Gbaud光電芯片(DML、EML、VCSEL)正朝向更高的56Gbaud波特率發展。56Gbaud EML 產業鏈已經成熟,而56Gbaud DML和VCSEL仍在研發中。
數據中心網絡中的芯片需求
應用場景
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100G解決方案
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400G解決方案
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TOR到葉架構(100m) |
100G SR4 4通道:25GbaudVCSEL+NRZ
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400G SR8 8通道:25Gbaud VCSEL+PAM4 |
葉架構到脊結構(500m)
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100G PSM4/CWDM4 4通道:25Gbaud SiP/DML+NRZ
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400G DR4
4通道:56Gbaud EML/SiP+PAM4
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葉架構到脊結構(2km)
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100G CWDM4 4通道:25Gbaud DML+NRZ
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400G FR4/DR4+
4通道:56Gbaud EML/SiP+PAM4
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結論
展望未來,隨着持續的技術創新和進步,我們預計將會出現更多突破性的光互連解決方案,為數據中心網絡提供出色的性能並實現總擁有成本降低。選擇合適的數據中心網絡解決方案至關重要。飛速(FS)提供可靠的數據中心網絡解決方案和高質量的數據中心光模組。
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